RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
比較する
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
総合得点
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
総合得点
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
14.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
29
読み出し速度、GB/s
14.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
9.6
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2506
2513
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAMの比較
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link