Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

総合得点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

考慮すべき理由
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

17 43

周辺 -153% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.7 14.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.3 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 17
読み出し速度、GB/s

14.9 21.7
書き込み速度、GB/秒

9.6 17.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2506 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

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