Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

総合得点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 43

周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.8 14.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.7 9.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 29
読み出し速度、GB/s

14.9 18.8
書き込み速度、GB/秒

9.6 15.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2506 3734

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB

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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology C 8GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

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