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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

総合得点
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 43
    周辺 -48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 3208

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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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メモリRAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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