RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    テスト平均値
Kingston 9965596-023.B01G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 43
    周辺 -13% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 1824

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM