RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 13.9
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 43
    周辺 -16% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 2461

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
メモリRAM