Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

総合得点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,123.3 1,761.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

6400 5300

周辺 1.21% 高帯域

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

56 59

周辺 -5% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

59 56
読み出し速度、GB/s

4,833.8 4,003.0
書き込み速度、GB/秒

2,123.3 1,761.9
メモリ帯域幅、mbps

6400 5300

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

731 605

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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