RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.7
    テスト平均値
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 1,950.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,950.7 left arrow 9.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    651 left arrow 1968

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAMの比較

Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM