RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 70
    周辺 34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.3
    テスト平均値
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 70
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 1971

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
メモリRAM