RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 46
    周辺 -59% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.6 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 16.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3639

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM