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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

総合得点
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 46
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 3200
    周辺 5.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 1768

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