RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 58
    周辺 21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 18.3
    テスト平均値
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2181

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAMの比較

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM