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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.2
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 65
    周辺 -160% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 2,451.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 2104

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