RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 15.0
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 60
    周辺 -76% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3604

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
メモリRAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM