RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 14.1
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 60
    周辺 -33% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3027

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
メモリRAM