RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F26UB16GH 16GB

Super Talent F26UB16GH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
Super Talent F26UB16GH 16GB 考慮すべき理由
Super Talent F26UB16GH 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 60
    周辺 -107% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.5 left arrow 2,168.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 8.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 1769

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Super Talent F26UB16GH 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
メモリRAM