RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,784.6 left arrow 13.7
    テスト平均値
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 65
    周辺 -132% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 3389

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB RAMの比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
メモリRAM
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM