RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
比較する
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,784.6
13.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
65
周辺 -124% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
29
読み出し速度、GB/s
4,806.8
17.6
書き込み速度、GB/秒
2,784.6
13.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
932
3432
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link