RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    65 left arrow 68
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.9
    テスト平均値
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,784.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 2007

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM