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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 56
    周辺 -51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,501.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 4200
    周辺 6.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,161.0 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,501.2 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    381 left arrow 2973

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