RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 10.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 77
    周辺 -221% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2913

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
メモリRAM