RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 14.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 77
    周辺 -185% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 3587

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
OCZ OCZ2V8002G 2GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
メモリRAM