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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 25
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 12.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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