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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
48
周辺 25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
48
読み出し速度、GB/s
15.0
12.3
書き込み速度、GB/秒
10.3
14.6
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3061
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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