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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 33
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 17.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 3601

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