Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

総合得点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

バグを報告する

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 23

周辺 -5% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.9 13.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

23 22
読み出し速度、GB/s

13.4 17.9
書き込み速度、GB/秒

8.0 14.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2269 3204

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

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UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

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