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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

総合得点
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    14.6 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2409 left arrow 2340

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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