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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 28
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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