RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3061

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM