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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 34
    周辺 18% 低遅延
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2917

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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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