Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

総合得点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 75

周辺 63% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

7.5 6.9

テスト平均値

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.6 12.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 8500

周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 75
読み出し速度、GB/s

12.7 14.6
書き込み速度、GB/秒

7.5 6.9
メモリ帯域幅、mbps

8500 21300

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1988 1556

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

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Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

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Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

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