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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
59
周辺 53% 低遅延
考慮すべき理由
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.7
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
8500
周辺 3.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
59
読み出し速度、GB/s
12.7
17.2
書き込み速度、GB/秒
7.5
9.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
25600
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2181
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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