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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 39
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 7.2
    テスト平均値
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1865 left arrow 1749

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メモリRAM
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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メモリRAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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