RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 2321

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
メモリRAM