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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

総合得点
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.2
    テスト平均値
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 56
    周辺 -115% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 18.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 3996

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メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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