RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 56
    周辺 -87% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 3283

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAMの比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
メモリRAM