RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 26
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3429

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
メモリRAM