RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB 考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 28
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2213 left arrow 3169

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
メモリRAM