RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 51
    周辺 -89% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.9 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3741

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
メモリRAM