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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 51
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3434

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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