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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
49
周辺 -88% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
26
読み出し速度、GB/s
10.2
14.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
3073
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
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