RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
比較する
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
総合得点
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
47
周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
28
読み出し速度、GB/s
10.4
17.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
15.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2169
3733
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link