RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 48
    周辺 2% 低遅延
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 1858

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM