RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
バグを報告する
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB 考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 47
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2368

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAMの比較

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
メモリRAM