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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

総合得点
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 47
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2169 left arrow 2608

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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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メモリRAM
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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