RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
54
周辺 -135% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
23
読み出し速度、GB/s
9.2
17.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
14.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
3127
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
バグを報告する
×
Bug description
Source link