RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 54
    周辺 -74% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 17.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3895

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM