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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 54
    周辺 -116% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    25.2 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 25.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 19.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 4167

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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