RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 63
    周辺 -186% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3162

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
メモリRAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
メモリRAM