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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
63
周辺 -152% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
25
読み出し速度、GB/s
8.1
15.5
書き込み速度、GB/秒
7.5
10.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
2832
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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